抄録
炭化ケイ素（SiC）は，高硬度かつ，化学的・熱的にも安定であるため，ウェーハ加工には多くの時間と高いコストを要する．とくに，加工の最終工程である化学機械研磨（CMP： Chemical Mechanical Polishing）においては，大幅な性能向上が求められている．我々は，基板との反応性を向上させた強酸化剤型スラリーを用い，かつ，高速回転が可能な研磨機を用いた評価により，Si面で10 μm/h以上の高能率を達成することができた．更に，到達面質について，水素エッチング評価とコンフォーカル微分干渉顕微鏡，ミラー電子顕微鏡などを用いた評価を行い，SiCエピレディ面質を短時間で実現する二段CMPプロセスの有用性を議論した．
