抄録
波長13.5 nmの極端紫外光源は次世代の半導体リソグラフィーの露光装置で用いられる光源として期待されている.EUV光源の高出力,高効率,高寿命化を目指した研究が世界中で進められ,最近では 200 Wレベルの EUV 出力がスズドロップレットに対してレーザーを照射することにより達成され,半導体の量産に要求される光源出力を達成しつつある.本稿ではスズドロップレットにレーザーを照射する際のスズの挙動,及び生成するスズプラズマからの EUV 発光特性について述べる.また,EUV 光源の課題について言及する.