SrTiO₃基板上への EuO 薄膜作製におけるSrO バッファ層と真空ポストアニールの効果

抄録

強磁性半導体であるEuOは半導体特性の大部分が未解明であり，電気化学測定を行った報告例はない。本研究では，導電性を有するNbドープSrTiO₃(STO)単結晶基板を採用しているが，基板加熱に伴いSTO基板界面から膜中への酸素熱拡散がEuO薄膜の高品質化を阻んでいた。本講演では，STO基板上へのEuO薄膜作製におけるSrOバッファ層の導入および真空ポストアニールの効果について議論する。