マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
Online ISSN : 2434-396X
第22回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
会議情報

主催: 一般社団法人エレクトロニクス実装学会

第22回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
デバイス内部の応力集中と真性キャリア濃度変化を考慮したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション
*多田 直弘, 池田 徹, 宮崎 則幸, 小金丸 正明, 友景 肇
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p. 175-178

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