応用物理
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Print ISSN : 0369-8009
最近の展望
GaN系半導体レーザーの発振波長の広帯域化
長濱 慎一小崎 徳也柳本 友弥向井 孝志
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2004 年 73 巻 2 号 p. 210

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抄録

1995年にGaN系材料を用いた波長405nmの紫色半導体レーザーが発表されて,約8年が経過した.現在では,紫色半導体レーザーを用いた次世代大容量光ディスクの実用化をはじめ,バイオ,医療,印刷,露光用光源など新たな分野への応用がすでに始まっている.最近,発振波長域は紫外域から青緑色域へと拡大して,さらなる新しい応用の可能性が期待されている.ここでは,紫外域から青色域のGaN系半導体レーザーの現状について報告し,今後の課題について述べる.

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© 2004 公益社団法人応用物理学会
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