解説
窒化物半導体電子デバイスにおける表面制御
2004 年 73 巻 3 号 p. 333-338
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 333-338
GaNあるいはAlGaN/GaNヘテロ構造を用いた電界効果トランジスタの研究開発は，最近，特に日本からの寄与によってその進展は著しい．しかし，電流コラプスやゲート漏れ電流など，表面に深く関連する不安定性の問題は未解決であり，その機構の解明と制御が求められている．ここでは，「表面の問題」として漠然と扱われてきたいくつかの現象を整理するとともに，欠陥制御の立場から，電子デバイスの表面不活性化について述べる．
