解説
ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性と高周波FETへの応用
2004 年 73 巻 3 号 p. 339-345
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 339-345
水素終端されたダイヤモンドのp型表面伝導層をチャネルとした金属／絶縁体／半導体型電界効果トランジタで，相互コンダクタンス100mS/mm，遮断周波数20GHz以上が得られる．高周波特性から抽出された等価回路解析から，ソース抵抗，ゲート抵抗，基板容量の現実的な減少により，ゲート長0.2 Ｌmで，遮断周波数40GHz，最大発振周波数100GHzが期待できる．キャリア輸送特性を遮断周波数と印加電界あるいはゲート長との関係から包括的に評価し，チャネル移動度200cm2/Vs程度，キャリアの平均的な走行速度5ｈ106cm/s(飽和速度の50％)を得た．表面の散乱中心をなくし，バルク並みの高移動度を得るダイヤモンド界面制御技術が望まれる．
