窒化物半導体を用いた高周波電子デバイスの最近の研究動向を紹介する．まず，ギガヘルツ以上の高周波帯における高耐圧・高出力デバイスとして，窒化物半導体ヘテロ接合のもつ特長について論じる．次に，窒化物半導体へテロ接合FETのデバイス作製プロセスとデバイス設計の要点について述べる．実際に作製したヘテロ接合FETの直流特性と小信号特性を紹介した後，1チップで100W以上を出力できる高耐圧デバイスと，準ミリ波帯で数Wを出力できる高利得デバイスについて，それぞれの高出力特性を議論する．最後に，今後に残された課題と将来の応用に向けた展望について述べる．
