最近の展望
SiC高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
2004 年 73 巻 3 号 p. 351-354
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2004 年 73 巻 3 号 p. 351-354
SiCは高出力・高周波デバイスの半導体材料として有望であり，これを用いたMESFETやSITは，移動体通信の基地局用増幅器やレーダーなどへ応用が期待されている．われわれはSiC-MESFETを作製して，高周波デバイスとしての性能評価を行っている．ここでは，試作したMESFETの静特性や高周波特性を中心に，これまでにほかで報告されているSITやJFET，BJT，インパットダイオードなどのSiC高周波デバイスの開発状況を紹介する．
