研究紹介
原子間力顕微鏡を用いたシリコン酸化膜研磨メカニズムの研究
2004 年 73 巻 3 号 p. 368-372
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 368-372
化学的機械研磨(CMP)による平たん化は，ULSIの高集積化・微細化を支える，必要不可欠なプロセスである．優れた平たん化特性を実現するためには，CMPプロセスの本質を明らかにし，研磨に用いる研磨スラリーを最適化することが重要なポイントとなる．われわれは，スラリー設計への指針を示すことを目的とし，CMPの研磨メカニズムをミクロな観点から調べてきた．本稿では，絶縁膜用CMPで実用化されている2種類の研磨スラリーを対象に，原子間力顕微鏡により研磨スラリーが被研磨面に与える影響を評価した結果を紹介する．
