研究紹介
二段階気相成長法によるGaN粉体の合成と発光中心不純物の添加
2004 年 73 巻 3 号 p. 373-377
詳細
2004 年 73 巻 3 号 p. 373-377
二段階気相成長法は，窒化ガリウム(GaN)の蛍光体応用に向けて，筆者らのグループが考案したGaN粉体の新しい合成法である．この手法は，粒子の形成過程を種結晶粒子生成と粒子成長の2過程に分離して，それぞれの過程に適した二つの化学反応を気流中で連続して進行させることを特徴とする．これにより，収率の高い合成や，高度な特性制御などが期待される．
