SiCプロセス技術

抄録

高耐圧・低損失パワーデバイス用に研究開発が進められているワイドギャップ半導体SiCのデバイス作製技術について紹介する．SiC半導体デバイスを作製するためには，従来の半導体材料で適用されてきたプロセス技術の延長だけでなく，SiC固有の問題を克服するために新たな技術が必要となる．本稿では，選択的な不純物ドーピングに不可欠なイオン注入，ドライエッチング，酸化膜形成および電極形成に関する基礎技術と課題について述べる．