有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長

抄録

次世代パワーデバイス用材料として注目されているシリコンカーバイドの高品位なヘテロエピタキシャル成長の実現を目指して，安全性が高く低温成長に有利と考えられるモノメチルシランやジメチルシランという有機ケイ素化合物を原料にさまざまなCVD法に取り組んだ．また，結晶性やモフォロジーを大きく左右すると考えられるSi基板上での成長初期過程をRHEED，STMなどを用いて詳細に解析し，Si 2×1清浄表面から核発生，連続膜形成までの過程の反応プロセスを解明した．また，モノメチルシランを用いて，高融点金属表面の触媒分解効果を利用したCat-CVD法により，750°Cの低温でのSi上ヘテロエピタキシャルやSi熱酸化膜上への(100)配向結晶膜の成長に成功した．