最近の展望
クラスター制御プラズマCVDによるa-Si:H薄膜堆積
2008 年 77 巻 2 号 p. 155-159
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2008 年 77 巻 2 号 p. 155-159
クラスター制御プラズマCVDには二つの方向性がある．一つは，薄膜へのクラスターの混入を徹底的に抑制することにより，膜質の向上を目指す方向である．もう一つは，気相合成したクラスターを含有した薄膜を堆積し，膜の構造と物性を制御する方向である．本稿では，前者の方向性に焦点を絞り，クラスター制御プラズマCVDを実現するために必要な，クラスター挙動のその場観測法，およびクラスターの発生・成長・除去に関する制御法について概説した．
