研究紹介
サファイア基板上のGaN成長の新展開
2010 年 79 巻 1 号 p. 59-63
詳細
2010 年 79 巻 1 号 p. 59-63
サファイア基板上に高品質の無極性面・半極性面GaNを成長する新しい結晶成長技術を考案した．a 面｛11-20｝サファイア基板およびr面｛10-12｝サファイア基板の表面に，エッチングによりc 面近傍の側壁が露出したトレンチ構造をストライプ状に形成した．成長条件を選ぶとc 面近傍の側壁から選択的にGaNの成長が起こり，横方向成長を経てa 面サファイア加工基板上には無極性m 面｛1-100｝GaNが，r 面サファイア加工基板上には半極性｛11-22｝面GaNが成長することを実証した．サファイア基板の面方位を選択し，GaNの成長条件を最適化すれば，サファイア加工基板のc 面近傍側壁から，従来のc 面GaN成長を行う基本的な操作により，原理的にはすべての成長可能なファセット面のGaNをサファイア基板上に成長することが可能である．
