研究紹介
ビスマス系化合物半導体によるレーザーダイオード
2016 年 85 巻 2 号 p. 113-117
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2016 年 85 巻 2 号 p. 113-117
ビスマス系化合物半導体は，V族元素としてビスマス（Bi）を含むIII-V族半導体である．この半導体は半金属と半導体の合金と考えられ，禁制帯幅の温度係数の低減など特異な物性が期待できる．従来，Biを含むIII-V族半導体の製作は困難と考えられてきたが，最近では，高品質のGaAs1-xBixが得られるようになり，レーザーダイオードが試作されている．また，InSb1-xBixやInP1-xBixなどのアンチモン系やリン系のIII-V族半導体との混晶化の研究も進んでいる．本稿では，GaAs1-xBixの創製からレーザーダイオードの試作に至る研究結果について紹介する．
