研究紹介
金属/Ge界面におけるフェルミレベルピンニングの制御
2017 年 86 巻 8 号 p. 673-676
詳細
2017 年 86 巻 8 号 p. 673-676
Siより高い電子・正孔の移動度をもつGeは次世代CMOSデバイスにおけるチャネル材料として有力視されているが，一方で金属/Ge界面では金属の真空仕事関数によらずほぼ一定のショットキー障壁を形成する，いわゆる極めて強いフェルミレベルピンニング（FLP）を生じることで知られる．現実的に微細化されたデバイスでは寄生抵抗低減の観点からも，金属/Ge界面のショットキー障壁の低減，すなわちFLPの抑制が不可欠である．Applied Physics Express創刊当時，我々は数多くの議論があるFLPの起源の中の1つのモデルに注目し，“極薄界面層の導入によるFLPの抑制”を実験的に示すことに成功したが，本稿では当時の研究やその後の応用展開に加え，最近の新たな進展についても紹介したい．
