研究紹介
窒化物半導体ZnSnN2の合成と電子物性
2020 年 89 巻 2 号 p. 92-96
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2020 年 89 巻 2 号 p. 92-96
近年，多元系窒化物半導体が盛んに研究されている．この中でも，ZnSnN2は2011年頃から研究が始まった，新しい疑似III族窒化物半導体である．この化合物は地殻中に豊富で安価な元素のみから成り，そのバンドギャップは1eV程度で，太陽電池の吸収層などへの応用が検討されている．筆者らは，2014年頃からZnSnN2ならびにその類縁体窒化物の合成と評価を行ってきた．本稿では，これまで行ってきた研究と最近の展開について紹介する．
