応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
研究紹介
窒化物半導体ZnSnN2の合成と電子物性
川村 史朗山田 直臣
著者情報
ジャーナル 認証あり

2020 年 89 巻 2 号 p. 92-96

詳細
抄録

近年,多元系窒化物半導体が盛んに研究されている.この中でも,ZnSnN2は2011年頃から研究が始まった,新しい疑似III族窒化物半導体である.この化合物は地殻中に豊富で安価な元素のみから成り,そのバンドギャップは1eV程度で,太陽電池の吸収層などへの応用が検討されている.筆者らは,2014年頃からZnSnN2ならびにその類縁体窒化物の合成と評価を行ってきた.本稿では,これまで行ってきた研究と最近の展開について紹介する.

著者関連情報
© 2020 公益社団法人応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top