プラズマ支援反応性プロセスによるアモルファスInGaZnO_x薄膜形成

抄録

フラットパネルディスプレイの大画面・高精細・高輝度化に向けて，制御駆動素子である薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化が喫緊の課題とされている．さらには次世代ディスプレイとして期待されているフレキシブルディスプレイの応用においては，そのTFTのチャネル層材料は低温で形成されることが必須である．これらの材料としては，高移動度を有し低温で形成可能なアモルファスIn-Ga-Zn-O_x（a-IGZO）が有望視されている．本研究では，マグネトロン放電とそれに重畳した誘導結合プラズマをそれぞれ独立に制御し，スパッタ粒子の流束と薄膜の結晶性や組成に影響する反応性粒子の流束を独立に制御可能なプラズマ支援反応性スパッタリングシステムを用いてa-IGZO薄膜を低温形成し，この薄膜を用いたTFT作製および特性評価を行っている．本稿では，高移動度を有するIGZO TFTの低温形成を目指した，プラズマ照射による低温ポストプロセスによるa-IGZO薄膜の高品質化の研究について紹介する．