希土類添加半導体ナノワイヤの結晶成長とデバイス応用

抄録

本稿では，超スマート社会に資する次世代半導体光ナノデバイスの1つである「高精細かつウェアラブルなディスプレイ」を実現すべく，筆者らが培ってきた赤色希土類元素であるEuを添加したGaN（GaN:Eu）を発光層とするナノワイヤ構造の結晶成長技術およびその光学・構造特性について示す．また，ナノワイヤをフレキシブル樹脂であるポリジメチルシロキサンで包埋し，頭出し処理を行うプロセス技術を確立するとともに，GaN:Eu層を発光層に有するサファイア基板上ナノワイヤ発光ダイオードの室温赤色発光を実現したので，これら一連の研究成果を紹介する．