超伝導ナノストリップ光子検出器は,優れた光子検出性能により,量子技術を含む多様な先端光技術に応用されている.しかし,線幅約100nmの超伝導ナノストリップの作製には高度なナノ加工技術が必要であり,高性能素子の量産は困難であった.我々は,超伝導ストリップ内のバイアス電流分布に着眼した新しい超伝導ストリップ構造を導入することで,これまで困難と考えられていたナノストリップの200倍以上の線幅を有する超伝導ワイドストリップ光子検出器の高性能動作を実現した.我々の検出器は,高性能かつ量産可能な光子検出器として,量子技術の大規模化を含め広範な科学技術分野の発展に貢献すると期待される.