アンペア級ダイヤモンドMOSFETが切り拓(ひら)くパワーデバイスの新境地

抄録

近年の人工宝石市場の拡大に伴いCVDダイヤモンドの大型化，低価格化が急速に進んでいる．物質中最大の熱伝導率や高い絶縁破壊電界を持つダイヤモンド半導体も，来る応用需要に合わせるようにデバイス研究が世界的に加速されており，ダイヤモンドを次々世代パワーデバイス材料として実用化するための基盤技術が整いつつある．本稿では水素終端表面チャネルを用いたデバイス技術の進展と，プレーナ型MOSFETの大電流動作や高速スイッチング特性，さらに高耐圧化に向けた課題と展望について概説する．