抄録
最近の半導体集積回路用デバイス,材料,プロセス技術の動向を,シリコン技術を中心として,半導体中の電子のドリフト速度の電界依存性とヂバイスの特性,バイポーラトランジスタとMOS電界効果トランジスタの微細化したときの特性比較,シリコン結晶の高品質化と大口径化,MOS集積回路におけるエピタキシャルウエーハとSOI構造の重要性,プラズマや光励起を用いた成膜技術,高圧酸化やプラズマ陽極酸化などの低温酸化技術,レーザー,電子ビーム,ランプを用いたアニーリング,微紬パターン描画,転写,エッチング技術,シリサイドを中心とした配線技術,高密度集積化で重要なデバイス分離技術について報告してある.
