Siを助剤に用いたダイヤモンドのHIP条件下での焼結過程

抄録

ダイヤモンドとSiの混合粉末をHIP処理条件(処理温度·処理圧力·保持時間)がSiCの生成に与える影響について検討した。HIP処理温度に対するSiCの生成幅をHIP処理温度に対してプロットするとSiCの生成幅は1350∼1750℃まで処理温度の上昇に伴って増加し、1750℃以上ではDiaが完全にSiCになった。一方、HIP処理圧力やHIP処理時間がSiCの生成に及ぼす影響はごく僅かであり、Siを助剤に用いたダイヤモンドのHIP焼結においては、HIP処理温度が最も重要なパラメーターであることが明らかになった。