日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第15回秋季シンポジウム
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浮上式窒化法で合成したAlN微粉末の低温用結
堀田 憲康細道 善文米澤 歴飛塚 俊秀柳田 国宏
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p. 294

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抄録
高純度Al粉末の1550℃での浮上式流動層窒化反応により, 高純度且つ微細なAlN粉末を合成した. このAlN微粉末を使用し, 7wt%のYF3を焼結助剤として用い, 窒素雰囲気中, 1700℃で120min焼結すると170W/mKの高熱伝導AlNセラミックスが得られた. この場合のAlNの粒子径は2∼3μmであった. しかし, 市販の高純度AlN粉末を使用すると高熱伝導AlNセラミックスが得られなかった.
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©  日本セラミックス協会 2002
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