抄録
炭化珪素は優れた耐熱性·高強度を持つ高温構造材料と知られるほか、バンドギャップが2.0∼3.0eVと広いため化合物半導体として応用も考えられている。このため、高温用電子デバイスとしての利用が期待できる。我々は既に、炭化珪素多結晶体において単結晶体同様のピエゾ抵抗特性を持つことを報告している。しかし多結晶体においてその発現機構は、単結晶体のように単純ではなく炭化珪素が持つ様々な特性によっても大きく変化すると考えられる。今回はカプセルフリーな窒素雰囲気下において、熱間静水加圧焼結(HIP法)を用いて炭化珪素多結晶体を作製するとともに、そのピエゾ抵抗特性について評価した。