多結晶SrTiO₃/Pd積層素子の電界誘起巨大抵抗スイッチング現象

抄録

　我々は、現在次世代不揮発性メモリーとして注目を浴びている巨大抵抗スイッチング現象が多結晶体SrTiO₃/Pd積層素子でも発現することを見出した。 　フォーミング処理後に電流-電圧特性において大きなヒステリシスが見られ、＋方向で高抵抗⇒低抵抗状態、－方向極性で低抵抗⇒高抵抗状態へのスイッチングが発現した。また抵抗状態を±50V以上の電圧パルスを印加することでも制御することができ、最大2桁の大きな抵抗変化率を得た。大きなスイッチング電圧、大きな抵抗変化率、インピーダンス測定の結果などから、本現象は電極界面だけでなく、SrTiO₃粒界で抵抗スイッチングが起こっているものと考えられる。