高温水蒸気処理によるSnO₂表面構造変化についての考察

抄録

　SnO(SUB)2(/SUB)半導体ガスセンサは粒子表面へのガスの吸着、反応に伴う電気抵抗値変化により、ガスを迅速に検知できる。しかしながら、実用条件下では、酸素と同様に大気中に存在する水蒸気によりガスの検知は阻害される。このような水蒸気による阻害は十分に知られている一方で、水蒸気を用いた処理によるセンサへの効果については、その報告例も少なく理解が不十分である。そこで本研究では、水蒸気処理がSnO(SUB)2(/SUB)半導体に及ぼす効果について測定条件、作動温度等を変え、空乏層形成への影響の観点から検討を行った。