抄録
本研究では、ダブルペロブスカイト構造を持つBa2Y0.9Eu0.1TaO6をスパッタリング法を用いて薄膜化し、その成膜条件とEL特性について検討を行った。Ba2Y0.9Eu0.1TaO6薄膜はBaTiO3基板上にRFマグネトロンスパッタリングを使用して堆積した。その膜厚をSEMにより観察し、XRDによる試料の同定とEL・PL特性評価を行った。 SEMによる成膜後の断面の観察から、BaTiO3基板上でのBa2Y0.9Eu0.1TaO6薄膜の膜厚はおよそ1.15μmであった。PLスペクトルは、590nm近傍の5D0-7F1遷移が支配的になり、さらに610nm近傍の5D0-7F2遷移も現れている。しかし、ELスペクトルでは、5D0-7F2,4遷移が支配的になっており、5D0-7F1遷移は低くなっている。これは、ELによる電界励起が発光に寄与する遷移として電気双極子遷移を優先していることを示唆している。