希土類酸炭化物粒界相を用いた導電性AlNの作製と微細組織制御

抄録

絶縁体であるセラミックスに導電性を付与するためには、従来のミクロ複合材料では20～30vol.％の導電性第二相粒子が必要とされるが、粒界相を導電経路として用いることにより、5vol％以下の粒界相で導電性が発現する。AlNの粒界相として導電性のYOCを生成するとき、非常に高い温度と長い焼結時間が必要になる。そのため、AlNの粒成長が起こり、低強度となっていた。しかしながら、低温でYOCが生成するように、Y2O3-CeO2複合助剤を用いることにより、AlNの粒成長を抑制した状態で導電性の付与が可能になった。