真空アーク蒸着法による高密度アモルファスカーボン膜の高速合成

岩崎 睦美; 平田 敦

doi:10.11522/pscjspe.2005S.0.315.0

抄録

物理気相成長法の中でも高速合成に適している真空アーク蒸着法による高密度a-C膜の高速合成について検討した.グラファイトの蒸発·励起に影響を与える放電時の電流·電圧の制御と,電極への再付着に影響を与える電極の形状および配置の最適化した結果,高密度を実現するため必要なドロップレットの含有率低減とsp₃結合比増加を実現した.得られた膜は0.01～0.1 nmRaであり,sp₃結合比約80%であった.

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