cBN成膜における基板電圧が膜特性に及ぼす影響

抄録

ｃBN膜は磁界励起イオンプレーティング法で基板上に成膜される。基板電圧を-50Ｖ～-100Ｖに増加させると膜硬度が増加し、基板電圧-100Ｖで膜硬度は4500HKとなった。膜質を調査した結果、基板電圧増加とともに膜のＮ／Ｂ比が増加し、化学状態分析の結果、基板電圧-100VでｃBNの存在が確認できた。基板電圧-100Vの条件でボールエンドミルにｃBN成膜した場合、良好な切削結果が得られた。