赤外エバネッセント光による誘電体薄膜層欠陥検出に関する研究

抄録

本研究は,次世代の高機能半導体に用いられるSOIウエハに代表されるような,誘電体薄膜層の3次元微小欠陥検出手法として,エバネッセント光によるナノ欠陥計測法を提案している.本手法では,シリコンプリズムを用いてレーザ光を外部光源から誘電体薄膜層への導入し,エバネッセント光を発生させ欠陥検出に用いる.本報では,欠陥の形態による応答の差を検討し,本手法が新しい薄膜層の検査技術へ応用できることを示した.