TiNi形状記憶合金薄膜創製条件の探索

抄録

本研究では，組成制御が容易かつ高真空で成膜可能なECRスパッタ法を用い，基板表面温度およびポストアニール温度・時間を因子として実験計画法を用い，優れた結晶構造を有するTiNi薄膜創製条件を検討した．結晶構造を評価値とした結果，基板表面温度は99%で有意，寄与率は83.15%を示した．特にTiNi(110)のみの成長には，ポストアニール温度が99%で有意を示し，50%以上の高い寄与率を示した．