ピコ秒パルスファイバーレーザによるサファイアの内部改質法

抄録

ピコ秒パルスファイバーレーザをサファイア基板内部にエピタキシャル層側より照射することによって，梨地面から基板内部にかけて幅5μm，長さ150μm程度と高アスペクト比の改質層を形成できた．この改質層を起点としてサファイア基板を分割でき，エピタキシャル層の損傷もほとんど確認されなかった．