多結晶シリコンのワイヤ放電加工特性 放電加工条件が及ぼす影響

北村 朋生; 福澤 康

doi:10.11522/pscjspe.2011S.0.29.0

抄録

不純物のドープされていない真性半導体である多結晶シリコンは電気比抵抗が10³～10⁴Ωcmと高く，通常の導電性材料に適用される放電加工法では加工が困難である．一方，補助電極法を用いることにより高抵抗及び絶縁性材料の放電加工は可能となっている．そこで，本研究では真性の多結晶シリコンに対し補助電極法をワイヤ放電加工に適用し，加工条件が加工特性に及ぼす影響を調査した．

著者関連情報

お気に入り & アラート

お気に入りに追加
追加情報アラート
被引用アラート
認証解除アラート

閲覧履歴

Teacher Needs and Relevant Factors for Teaching Jiritsu-Katsudo in Special Needs Schools for Children with Physical Disabilities
Some almost product structures on manifolds with linear connection
Development of Monitoring Method for Coating Condition inside Ballast Tank using Numerical Inverse Analysis
オートラジオグラフィーを用いた福島第一原子力発電所起源の放射性降下物の局所的な分布解析
化学物質のリスク評価における規制当局の判断を支援するためのin silicoアプローチの開発と今後の課題

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）