数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法によるSi薄膜膜厚均一化加工法の精度向上

抄録

高速で低消費電力なデバイス実現のためSOI (Silicon On Insulator)ウエハが現在用いられている。将来SOIウエハのSi層に要求される膜厚均一性は±0.5 nm程度と予想されているが、サブナノレベルでの膜厚均一性の実現は極めて困難である。我々はこの目標を達成すべく多電極型大気圧プラズマ発生装置を開発し、膜厚均一化加工法の確立に取り組んできた。今回、加工精度向上のため、大気圧プラズマによる加工領域と電極形状の関係を調査し、その結果を述べる。