N₂大気圧プラズマによる表面活性化を用いた光素子の低温接合

抄録

半導体レーザ素子のAu薄膜電極と平滑な表面を有するAuスタッドバンプをN₂大気圧プラズマによって表面活性化することにより、大気圧雰囲気中での低温接合を実現した。発光分析からNO_-γ及びN₂(2^nd P.S.)の発光を伴う高エネル ギーの中性励起種が表面活性化に寄与していることが示唆された。N₂プラズマを3分間照射したのち、接合荷重680 gf (320 MPa)で接合(接合温度:150 ℃)することにより、 MIL-STD-883G基準値を満足する十分な接合強度が得られた。