マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおける電極－基板間距離の効果

山田 浩輔; 山田 高寛; 大参 宏昌; 垣内 弘章; 安武 潔

doi:10.11522/pscjspe.2013S.0.677.0

2013年度精密工学会春季大会

セッションID: K14

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2013S.0.677.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおける電極－基板間距離の効果

*山田浩輔, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

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キーワード: シリコン太陽電池, 水素プラズマ, 高速エッチング, 原子状水素密度, アクチノメトリ, シランガス

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抄録

我々はSi太陽電池の低価格化を実現するため，Si原料となるSiH₄ガスを安価に生成する新規な手法として，マイクロ波水素プラズマによる金属級Siの高速エッチングを提案している．本研究では，効率的なSiH₄生成を達成するためSi基板－電極間のギャップ長によるエッチング速度への影響を検討した．アクチノメトリによりギャップ間の原子状水素密度の分布を求め，エッチング速度を増加させる狭ギャップの効果を明らかにした．

責任著者(Corresponding author)

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