単結晶SiCのナノインデンテーションに関する研究

松本 光弘; 原田 博文; 柿本 浩一; 閻 紀旺

doi:10.11522/pscjspe.2015S.0_723

2015年度精密工学会春季大会

セッションID: L07

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2015S.0_723

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主催: 公益社団法人精密工学会

単結晶SiCのナノインデンテーションに関する研究

*松本光弘, 原田博文, 柿本浩一, 閻紀旺

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キーワード: ナノインデンテーション, 単結晶SiC, 硬さ, 結晶方位, 機械的特性, Pop-in現象

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抄録

SiC単結晶の機械的特性を解明するため，4H-SiC(0001)単結晶ウエハに対してナノインデンテーションを行った．結晶方位と圧子のなす角，最大荷重，押し込み速度によって硬さ値が大きく変化することを確認した．最大荷重が3-50mNの範囲では12mNのとき硬さ値は最大となり，圧子の稜線と[11-20]方向を平行にしたときおよび押し込み速度を減少させたとき，硬さ値は低下した．

責任著者(Corresponding author)

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