計算科学手法を用いたGaN CMPにおいて高い化学反応活性を有する研磨砥粒の検討

抄録

GaNを高速かつ高精度で平坦化するためのCMPプロセス設計が求められている。我々は計算科学手法を用いることで、SiO₂砥粒によるGaN CMPプロセスにおいて、基板表面が酸化することによってGa-N結合が解離し、Ga原子が砥粒と結合して引き抜かれる研磨メカニズムを明らかにしている。本研究では、第一原理計算を用いてGa原子の引き抜き過程における基板-砥粒間の結合エネルギーを評価し、高い化学反応活性を有する研磨砥粒の検討を行った。