室温プラズマ酸化を援用した低欠陥グラフェン形成に関する研究

プラズマ酸化により生成されるSiC表面上の副生成物の分析

抄録

SiC表面上にグラフェンを形成すると、その過程でSiC表面にピットが形成されるという問題がある。我々は既に、室温プラズマ酸化を援用した手法により、低ピット密度のグラフェンが得られることを見出した。本研究では、プラズマ酸化によって形成されるSiC表面上の副生成物を赤外・ラマン分光やXPSにより分析した。そして、プラズマ酸化後のSiCの表面状態と、その後に形成されるグラフェンの膜質との相関を考察した。