光電気化学酸化を援用した触媒表面基準エッチング法による窒化ガリウムの高能率平坦化

木田 英香; 藤 大雪; 中平 雄太; 松山 智至; 佐野 泰久; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2017A.0_19

2017年度精密工学会秋季大会

セッションID: A15

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2017A.0_19

会議情報

主催: 公益社団法人精密工学会

会議名: 2017年度精密工学会秋季大会

開催地: 大阪大学

開催日: 2017/09/20 - 2017/09/22

光電気化学酸化を援用した触媒表面基準エッチング法による窒化ガリウムの高能率平坦化

*木田英香, 藤大雪, 中平雄太, 松山智至, 佐野泰久, 山内和人

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キーワード: 触媒表面基準エッチング法, 光電気化学酸化, 研磨

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抄録

我々は，窒化ガリウム (GaN) 基板を平坦化する革新的な手法として触媒表面基準エッチング (Catalyst-Referred Etching; CARE) 法の開発，研究を行っている．現在までに研磨定盤にPt触媒，加工液に純水を用いて，原子レベルに平坦な表面が作製可能となっているが，ステップフロー型であるのでCARE法は加工速度が不十分である．そこで本研究では，GaN基板の高能率平坦化を目指し，光電気化学酸化を援用したCARE法（PEC-CARE加工）を検討することで，加工速度は800 nm/hにまで向上した．

責任著者(Corresponding author)

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