計算科学手法を用いたGaN CMPにおける砥粒-基板間の化学反応機構の検討

抄録

高精度かつ高効率なGaN CMPのプロセス設計が求められている。我々は計算科学手法を用いることで、GaN CMPプロセスにおいて、砥粒-基板間結合によってGa原子が引き抜かれるメカニズムを明らかにした。そこで、効率的に砥粒-基板間結合を形成するプロセスを検討するため、第一原理計算を用いて、終端基の異なる砥粒をモデル化し、結合過程におけるエネルギー変化を比較することで、終端基が砥粒-基板間結合に及ぼす影響を検討した。