フェムト秒レーザを用いたダブルパルスビームによる励起状態面の表面加工に関する研究（第六報）

表面ダメージ層の検討

抄録

筆者らは，ダブルパルスフェムト秒レーザーを用い，ワイドバンドギャップ半導体表面を光励起し，低照度ビームによる加工を実現する方法を提案している．本報では，光表面励起を行った際の，加工条件を評価するため，半導体表面にプラズマが形成された場合の光反射率増強効果を調査した結果について報告する．