難加工材料のプラズマ融合CMPプロセスの開発

Arプラズマを用いたプラズマ融合CMPによるGaN基板の加工特性とその評価

抄録

難加工材料であるSiC・GaN・Diamond基板の高能率加工に向け、プラズマ融合CMP法を考案・開発した。この加工法により、CMP法よりも高能率な加工が実現された。今回は、加工コスト低減を目指し、Arガスを用いたプラズマ融合CMPによりGaN基板の加工特性を評価した。バブリング法を用いることにより、ガス総量の半分をHeからArへ替え加工することに成功した。また、Arガスの投入により、GaN基板の加工レートの向上が確認された。