電気化学機械研磨によるSiCの高能率ダメージフリー加工法の開発（第1報）

初期研磨段階における陽極酸化電流の最適化

抄録

SiCは次世代半導体パワーデバイス用材料として有望であるが，従来の化学機械研磨法によるSiCの研磨レートは低く．また，高価なスラリーを用いるためコストが高い．本研究では，SiCに対する陽極酸化を用いたスラリーレスの電気化学機械研磨法の開発を目的としている．本報では，電気化学機械研磨法においてSiC表面のダメージを高能率かつ均一に除去するため，酸化電流を最適化した結果を報告する．