Agナノワイヤを援用した化学エッチングによるSi(111)上への極狭溝構造の形成

抄録

我々は、金属を援用した化学エッチングに着目し、低コストかつ簡易にナノギャップデバイスを作製する手法を考案した。まず、Si(111)表面にステップ/テラス構造を作製する。次に、テラスのエッジ部のみに、Agを自己組織的にメッキし、形成したAgナノワイヤをテンプレートとして化学エッチングを行い、溝構造の形成を試みた。基礎的な検討の結果、部分的ではあるが、Si表面上に幅約10nmの溝構造が形成できることを確認した。