高アスペクト比構造底部に対する非破壊洗浄評価法の開発

底部にAuを埋め込んだSiトレンチ構造における光電子脱出特性の角度依存性

抄録

近年の半導体素子は、三次元構造を駆使した高集積化により性能向上が図られており、高アスペクト比を持つ微細構造に対する新たな洗浄法や、洗浄評価法の開発が喫緊の課題である。我々は、高アスペクト比構造の底部に異種元素を埋め込む試料作製技術と、角度分解X線光電子分光測定を組み合わせることにより、底部の洗浄特性を非破壊で調べる独自の手法を提案している。今回は、その原理検証を行った結果について述べる。