抄録
LSIの微細化にともないゲート酸化膜が薄くなり,破壊による寿命低下が懸念されている.本稿では,寿命試験に代えてシミュレーションにより寿命特性を評価する方法について述べる.ゲート酸化膜を格子状に分割して欠陥をランダムに1つずつ発生させ,欠陥連がゲート酸化膜を貫通する状態をチェックするプログラムを開発し,ワイブル分布のβ,ηを評価した.この結果,膜厚が欠陥サイズに近くなると特異な特性を示すことが明らかになった.また,シグナル・フロー・グラフを応用した理論解析を部分的に行った.シミュレーション結果を応用して,実験データからβ,ηを推定する方法を提案する.最後に,円形の欠陥を任意の位置に発生させた場合との比較を行う.
